Резонансное поглощение электромагнитного излучения в квантовом канале с прямоугольным потенциальным профилем

электромагнитные излучения резонансные поглощения квантовые каналы коэффициенты поглощения электрон-фононные переходы прямоугольные профили потенциальные профили магнитные поля электроны спин-взаимодействие электронов оптические фононы

Нелинейная задача о гиперупругом деформировании полилинейного конечного элемента оболочки средней толщины, Об асимптотически оптимальных по надежности схемах в некоторых специальных базисах, ...

В. В. Карпунин, В. А. Маргулис РЕЗОНАНСНОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В КВАНТОВОМ КАНАЛЕ С ПРЯМОУГОЛЬНЫМ ПОТЕНЦИАЛЬНЫМ ПРОФИЛЕМ Аннотация. <...> Проведено теоретическое исследование поглощения электромагнитного излучения электронами квантового канала, находящимися в поперечном квантующем магнитном поле. <...> Рассмотрен дополнительный вклад в коэффициент поглощения, обусловленный переворачивающим спин-взаимодействием электронов с оптическими фононами. <...> Ключевые слова: коэффициент поглощения, электрон-фононные переходы с переворотом спина, квантовый канал. <...> Согласно теории явления, разработанного в [1], поглощение фотона электронами сопровождается переворачивающим спин-взаимодействием электронов с оптическими фононами. <...> Коэффициент поглощения в [1] вычислен во втором порядке теории возмущений по электрон-фотонному и электрон-фононному взаимодействиям. <...> Показано, что резонансное поглощение должно наблюдаться, когда электроны взаимодействуют только с поперечными оптическими фононами. <...> В качестве оператора электрон-фононного взаимодействия использован оператор, ответственный за электронные переходы с переворотом спина, полученный в [2]. <...> Как показано в [3], в полупроводниках с сильной спин-орбитальной связью взаимодействие 3D-электронного газа со звуковыми квантами и поперечными оптическими фононами приводит к спин-магнитофононному резонансу. <...> В работе [3] расчет коэффициента поглощения проведен во втором порядке теории возмущений. <...> В работе [5] экспериментально исследован циклотронный резонанс (ЦР) электронов в гетероструктуре HgTe/CdHgTe(013) с квантовой ямой шириной 15 нм. <...> Обнаружено большое расщепление линии ЦР, оно обусловлено как спиновым расщеплением, так и непараболичностью закона дисперсии. <...> Циклотронный резонанс двумерных электронов в квантовых ямах InSb/AlInSb исследован в [6]. <...> Показано, что сильное расщепление линии ЦР наблюдалось даже в слабых магнитных полях. <...> В работе [7] теоретически <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт