К теории динамических акустостимулированных явлений в полупроводниках

акустостимулированные явления полупроводники ультразвуковые волны электронная подсистема фононная подсистема тепловые фононы функции распределения равновесное распределение электрон-фононное рассеяние

Влияние низших энергетических уровней на первые адиабатические потенциалы ионизации молекул азотосодержащих соединений, Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si (p), ...

Н. Я. Карасев, В. Д. Кревчик К ТЕОРИИ ДИНАМИЧЕСКИХ АКУСТОСТИМУЛИРОВАННЫХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Аннотация. <...> Получено общее решение задачи кинетических явлений в полупроводниках с учетом неравновесности электронной и фононной подсистем в поле ультразвуковой волны. <...> Теоретический подход основан на самосогласованном рассмотрении поведения взаимодействующих подсистем: электрическое поле, ультразвуковая волна, электронная подсистема и подсистема тепловых фононов. <...> Ключевые слова: ультразвуковая волна, подсистема тепловых фононов, электрон-фононное рассеяние, фонон-фононное рассеяние, акустостимулированные явления. <...> Введение Изучение распространения ультразвуковых волн (УЗВ) в твердых телах является эффективным методом исследования фундаментальных физических свойств твердого тела. <...> Обширные и разнообразные результаты этих исследований образовали особую форму спектроскопии, основанную на измерении затухания и скорости УЗВ, – ультразвуковую спектроскопию твердого тела. <...> Условно АС-явления в полупроводниках можно подразделить на две группы: динамические, возникающие в процессе ультразвукового воздействия, и остаточные, связанные с изменением дефектной структуры кристаллической решетки. <...> Поволжский регион Цель настоящей работы – получить общее решение задачи кинетических явлений в полупроводниках с учетом неравновесности электронной и фононной подсистем в поле УЗВ. <...> Теоретический подход основан на самосогласованном рассмотрении поведения взаимодействующих подсистем: электрическое поле, УЗВ, электронная подсистема (ЭП) и подсистема тепловых фононов (ТФ). <...> Связь между этой силой и ЭП осуществляется через деформационный потенциал, а связь с ансамблем ТФ – через зависимость частоты ТФ от переменной деформации, вызываемой УЗВ. <...> Процессы электрон-фононного и фонон-фононного рассеяния смещают распределение ТФ в пространстве волновых векторов, что приводит к дрейфу ТФ. <...> В электрическом <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт