Об изменении времен жизни носителей заряда при импульсном фотовозбуждении в кремнии с глубокими примесными центрами

импульсное фотовозбуждение кинетика фотопроводимости кремний носители заряда рекомбинационные центры кинетические уравнения эмиссия электронов

Многоаспектная минимизация недетерминированных конечных автоматов, Исследование физических свойств металломатричного композиционного материала AISiC, ...

В. А. Горюнов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин ОБ ИЗМЕНЕНИИ ВРЕМЕН ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ В КРЕМНИИ С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ ЦЕНТРАМИ Аннотация. <...> Приведены результаты численных исследований кинетики фотопроводимости в кремнии с двумя рекомбинационными центрами. <...> Времена жизни при снятии фотовозбуждения за счет эмиссии электронов с донорных центров увеличиваются на несколько порядков. <...> Это приводит к наличию на релаксационных кривых концентраций электронов и дырок участков «быстрого» и «медленного спада». <...> Ключевые слова: кремний, кинетика фотопроводимости, рекомбинационные центры, эмиссия электронов, времена жизни электронов и дырок. <...> Введение Кинетика фотопроводимости в кремнии определяется различными механизмами рекомбинации: рекомбинацией Шокли – Рида, межзонной рекомбинацией, безызлучательной экситонной рекомбинацией, межзонной Ожерекомбинацей [1–6]. <...> Необходимость учета того или иного механизма связана в первую очередь с наличием уровней захвата и рекомбинации в полупроводнике и уровнями возбуждения. <...> При лазерных возбуждениях проявляется нелинейная рекомбинация, обусловленная межзонной излучательной и межзонной безызлучательной Оже-рекомбинацией [5–6]. <...> В рамках такого рода представлений обычно не учитывается перезарядка рекомбинационных центров, которая при определенных темпах генерации может приводить к существенному изменению времен жизни свободных носителей заряда. <...> Это связано с тем, что изменяется функция распределения электронов на донорных уровнях и дырок на акцепторных, что приводит к изменению темпа рекомбинации избыточных носителей заряда. <...> Следует ожидать, что при освещении полупроводника и при снятии возбуждения светом времена жизни электронов и дырок будут изменяться при переходе к стационарному и равновесному состояниям соответственно [7]. <...> Физическая модель фотопроводимости в кремнии при средних уровнях инжекции Исследована <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт