Об изменении времен жизни носителей заряда при импульсном фотовозбуждении в кремнии с глубокими примесными центрами

импульсное фотовозбуждение кинетика фотопроводимости кремний носители заряда рекомбинационные центры кинетические уравнения эмиссия электронов

Электродинамический анализ зон пропускания и запрещенных зон в спектре оптического фильтра на основе фотонного кристалла, Влияние матрицы из метаматериала на устойчивость 2D-туннельных бифуркаций в квантовых молекулах, ...

В. А. Горюнов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин ОБ ИЗМЕНЕНИИ ВРЕМЕН ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ В КРЕМНИИ С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ ЦЕНТРАМИ Аннотация. <...> Приведены результаты численных исследований кинетики фотопроводимости в кремнии с двумя рекомбинационными центрами. <...> Времена жизни при снятии фотовозбуждения за счет эмиссии электронов с донорных центров увеличиваются на несколько порядков. <...> Это приводит к наличию на релаксационных кривых концентраций электронов и дырок участков «быстрого» и «медленного спада». <...> Ключевые слова: кремний, кинетика фотопроводимости, рекомбинационные центры, эмиссия электронов, времена жизни электронов и дырок. <...> Введение Кинетика фотопроводимости в кремнии определяется различными механизмами рекомбинации: рекомбинацией Шокли – Рида, межзонной рекомбинацией, безызлучательной экситонной рекомбинацией, межзонной Ожерекомбинацей [1–6]. <...> Необходимость учета того или иного механизма связана в первую очередь с наличием уровней захвата и рекомбинации в полупроводнике и уровнями возбуждения. <...> При лазерных возбуждениях проявляется нелинейная рекомбинация, обусловленная межзонной излучательной и межзонной безызлучательной Оже-рекомбинацией [5–6]. <...> В рамках такого рода представлений обычно не учитывается перезарядка рекомбинационных центров, которая при определенных темпах генерации может приводить к существенному изменению времен жизни свободных носителей заряда. <...> Это связано с тем, что изменяется функция распределения электронов на донорных уровнях и дырок на акцепторных, что приводит к изменению темпа рекомбинации избыточных носителей заряда. <...> Следует ожидать, что при освещении полупроводника и при снятии возбуждения светом времена жизни электронов и дырок будут изменяться при переходе к стационарному и равновесному состояниям соответственно [7]. <...> Физическая модель фотопроводимости в кремнии при средних уровнях инжекции Исследована <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт