МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОРМИРОВАНИЯ КАНАЛЬНОГО СЛОЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОЩНОГО СВЧ ПОЛЕВОГО КАРБИД КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ШОТТКИ

проведено моделирование зависимости порогового напряжения, сопротивления канала, тока насыщение и крутизны полевого транзистора с затвором Шоттки от толщины и уровня легирования канального эпитаксиального слоя. Обсуждаются оптимальные технологические параметры

• Кожевников В.А.
• Цоцорин А.Н.
• Черных М.И.

• Искусство. Декоративно-прикладное искусство. Фотография. Музыка. Игры. Спорт

• Естественные науки
• Физико-математические науки