МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУР НА МОЩНЫЙ СВЧ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ НА ОСНОВЕ КАРБИДА

В работе представлены модели расчета воздействия высоких температур на электрофизические характеристики мощных СВЧ полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе карбида кремния. Проведено моделирование влияния высокотемпературного воздействия.Представлены зависимости порогового напряжения, сопротивления канала, а так же крутизны передаточной характеристики транзистора. Проведено исследование саморазогрева транзисторной структуры. Выполнена оценка влияния толщины подложки на максимальную температуру, а так же токи насыщения транзисторного кристалла при саморазогреве. Также в работе обсуждается теоретический предел применения мощных СВЧ полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах

• Кожевников В.А.
• Цоцорин А.Н.
• Черных М.И.

• Искусство. Декоративно-прикладное искусство. Фотография. Музыка. Игры. Спорт

• Естественные науки
• Физико-математические науки