Методика расчета тепловых характеристик кремниевых ограничителей напряжения в импульсном режиме

ограничитель напряжения; импульс тока; критическая температура; тепловое сопротивление; плотность тока; переходное тепловое сопротивление; лавинный пробой; тепловой пробой; длительность импульса.

Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния, КМОП-матрица формата 320240 элементов для спектрального диапазона 35 мкм на основе PtSi, ...

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS УДК 621.382.2 Методика расчета тепловых характеристик кремниевых ограничителей напряжения в импульсном режиме <...> Н.Л. Духова (г. Москва) Method of Calculating the Thermal Characteristics of Silicon tvs-Diodes Pulsed Mode F.I. <...> Dukhov, Moscow Исследована зависимость тепловых характеристик ограничителей напряжения при прохождении импульсной перегрузки. <...> На основе анализа зависимостей проведены расчеты тепловых характеристик ограничителей напряжения. <...> Показано, что параметры ограничителей напряжения деградируют при достижении плотности тока 160 – 300 А/см2 и критической температуры 250 – 300 С. <...> Представлены зависимости теплового сопротивления и критической температуры ограничителей напряжения от плотности тока и длительности импульса. <...> Ключевые слова: ограничитель напряжения; импульс тока; критическая температура; тепловое сопротивление; плотность тока; переходное тепловое сопротивление; лавинный пробой; тепловой пробой; длительность импульса. <...> The dependence of thermal characteristics of a tvs-diode in passing the pulsed overload has been investigated. <...> Based on the analysis of the dependencies the thermal characteristics of tvs-diodes have been calculated. <...> It has been shown that the parameters of the tvs-diode degrade, when the current density achieves 160 – 300 A/cm2 and the critical temperature - 250 – 300 C. <...> The dependencies of the heat resistance and the critical temperature on the voltage tvs-diodes density and pulse duration have been presented. <...> Keyword: Tvs-diode; Current pulses; Critical temperature; Heat resistance; Current density; transient heat resistance; avalanche breakdown; thermal breakdown; the pulse duration. <...> При прохождении импульсной перегрузки происходит выделение тепловой энергии в локализованной области p Введение. <...> Основной причиной катастрофического отказа полупроводниковых прибоn-перехода на слаболегированной стороне и температура становится критической. <...> В [2] проведены исследования кристаллов выпрямительных диодов КД208 при воздействии импульсов длительностью 5 мс и приведены зависимости прямого сопротивления диодов от количества импульсов, температуры кристалла от длительности. <...> Одно из распространенных малогабаритных <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт