Методы подавления оптической связи между ячейками матрицы кремниевых фотоумножителей

кремниевые фотоэлектронные умножители; подавление оптической связи; V-образные канавки.

Особенности функционализации поверхности однослойного и мультислойного графена при окислении под действием ультрафиолетового облучения, Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика с использованием ускоренных испытаний тестовых структур, ...

УДК 621.383.523 Методы подавления оптической связи между ячейками матрицы кремниевых фотоумножителей <...> Герасименко3,4 1НПК «Технологический центр» (г. Москва) 2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» 3Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 4Национальный исследовательский Томский государственный университет Methods for Optical Cross-Talk Suppression between Cells in a Matrix of Silicon Photomultipliers A.A. <...> Gerasimenko3,4 1SMC «Technological Centre», Moscow 2National Research Nuclear University MEPhI, Moscow 3National Research University Electronic Technology «MIET» 4National Research Tomsk State University Экспериментально исследованы способы подавления оптической связи между ячейками в кремниевых фотоэлектронных умножителях. <...> Исследован способ разделения светочувствительных ячеек на основе вытравливания V-образных канавок. <...> Показана принципиальная возможность снижения оптической связи между ячейками с 2040 % до 0,10,7 % в диапазоне перенапряжения 25 В соответственно. <...> Ключевые слова: кремниевые фотоэлектронные умножители; подавление оптической связи; V-образные канавки. <...> Для различных областей применения используются фотоумножители, которые показывают оптимальные результаты. <...> Сравнительные характеристики лавинных фотодиодов (ЛФД), PIN-фотодиодов (PIN), вакуумных фотоэлектронных умножителей (ФЭУ) и гейгеровских кремниевых фотоумножителей (SiФЭУ) приведены в таблице. <...> Параметр Эффективность регистрации света (420 нм), % Величина усиления сигнала, раз Шум-фактор, ENF Пороговая чувствительность фотоэлектронов Разброс времени срабатывания/10 фотоэлектронов, пс Напряжение смещения, В Работа в магнитном поле Сравнительные характеристики фотодетекторов Тип фотоумножителя ФЭУ ЛФД 6070 100200 2 10 1000 1001000 PIN 6070 1 1 1000 10100 Возможна Возможна 30 106107 1,154,0 1 100 10002000 Сложно или невозможно SiФЭУ быстро развивающийся тип фотодетекторов, являющихся основой для решения широкого круга научных и прикладных задач, где требуется регистрация импульсного излучения малой интенсивности. <...> К основным преимуществам <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт