Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста

позитивный фоторезист; отрицательный угол; «взрывная» литография; электрохимическое осаждение.

Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия при эпитаксии из газовой фазы, Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100), ...

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ BRIEF REPORTS УДК 621.384.4 Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста <...> Герасименко2,3 1НПК «Технологический центр» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 3Национальный исследовательский Томский государственный университет Influence of Photolithographic Process Conditions on Obtaining a Negative Tilt of Thick Positive Photoresist Mask A.A. <...> Gerasimenko2,3 1SMC «Technological Centre», Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow 3National Research Tomsk State University Разработана и экспериментально исследована технология формирования отрицательного угла наклона толстой фоторезистивной маски для применения во «взрывной» литографии и для электрохимического осаждения металлов. <...> Приведен возможный диапазон изменения профиля фоторезистивной маски и обоснованы механизмы управления углом наклона. <...> Один из главных факторов успешного выполнения данного типа литографии наличие отрицательного угла наклона маски фоторезиста, облегчающего процесс удаления «жертвенного» слоя. <...> Основными описанными в литературе методами получения отрицательного угла маски являются: <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 4 2015 Краткие сообщения - выполнение стандартного фотолитографического цикла с использованием негативного фоторезиста [1]; - формирование фоторезистивной маски при помощи реверсивного фоторезиста (Image Reversal Resist) [2]; - использование LOR-резистов (Lift-off Resist) [3]; - методы, включающие в себя снижение растворимости верхней части фоторезиста перед проявлением [4]. <...> Авторами предложена новая методика формирования отрицательного угла наклона стенок у маски позитивного фоторезиста. <...> В основе метода двухстадийное (или многостадийное) нанесение фоторезиста с промежуточным экспонированием, цель которого увеличение степени растворимости в проявителях нижнего слоя. <...> За счет изменения времени промежуточного экспонирования достигается управляемость скоростью растворения нижнего слоя фоторезиста, что позволяет формировать <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт