Исследование зависимости морфологии самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста

эпитаксия нанокластеры самоформирующиеся нанокластеры сублимированная молекулярно-лучевая эпитаксия молекулярно-лучевая эпитаксия условия роста атомно-силовая микроскопия микроскопия выращивание структур гетероструктуры

Качественные критерии для кривых и поверхностей 3-мерных одулярных галилеевых пространств. 2. Критерии для поверхностей, Моделирование роста двухкомпонентного кристалла со слоистым распределением примеси, ...

В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ МОРФОЛОГИИ САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ НАНОКЛАСТЕРОВ GeSi/Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ В СРЕДЕ GeH4, ОТ УСЛОВИЙ РОСТА <...> * Методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) на воздухе исследована зависимость параметров морфологии поверхностных нанокластеров GeSi/Si(001) (размеры, форма, поверхностная плотность, однородность по размерам и пр.), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) в среде GeH4, от параметров технологического процесса выращивания структур (температура подложки, парциальное давление GeH4 в ростовой камере, время роста). <...> Установлено, что закономерности трансформации морфологии кластеров с увеличением количества осажденного Ge отличаются от таковых для традиционной МЛЭ. <...> Нанокластеры, выращенные в определенных условиях, характеризуются би- и тримодальным распределением по размерам. <...> Определены условия роста, обеспечивающие получение однородных массивов кластеров с заданными геометрическими параметрами. <...> Другое важное направление исследований – фотопроводимость GeSi структур в области энергий световых квантов, меньших ширины запрещенной зоны Si, связано с расширением спектрального диапазона фотоприемников на основе Si в инфракрасную область [3]. <...> Обычно нанокластеры GeSi получают методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) [4]. <...> Менее широко используются методы газофазной эпитаксии и МЛЭ с использованием металлоорганических источников [5]. <...> В данной работе исследованы гетероструктуры с нанокластерами GeSi/Si(001), выращенные методом сублимационной МЛЭ (СМЛЭ) в среде GeH4 [6]. <...> В этом методе слои Si осаждаются из сублимационного источника, а для осаждения Ge в ростовую камеру напускается GeH4. <...> Однако, если закономерности роста нанокластеров GeSi/Si в процессе МЛЭ хорошо изучены [8], особенности роста последних в процессе СМЛЭ в среде GeH4 изучены недоста* 71 Работа выполнена при поддержке <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт